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IRFP150NPBF

IRFP150NPBF

irfp150n.pdf
Produktcode: 27503
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 100
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.036
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
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Technische Details IRFP150NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 39A, TO-247AC
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.036ohm
  • Power Dissipation:140W
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-247AC
  • Cont Current Id:39A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.1`C/W
  • Lead Spacing:5.45mm
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:140W
  • Pulse Current Idm:140A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies infineonirfp150ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP150N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF Infineon Technologies irfp150npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356286d121fd6 description Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON INFN-S-A0012813088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP150NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFP150NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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39+1.84 EUR
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IRFP150NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
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IRFP150NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP150NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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0,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R1)
Produktcode: 2312
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0,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R1)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,1 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 819 St.
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IR2110PBF
Produktcode: 28037
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IR2110PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-14
Uc, V: 500
I o +/-, A: 2,0/2,0
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/94
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 67 St.:
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L7815ACV
Produktcode: 33695
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description en.CD00000444.pdf
L7815ACV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 15
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 161 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HEF4011BT
Produktcode: 34055
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HEF4011B.pdf
HEF4011BT
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Quad 2-input NAND gate
Analog 74хх: SMD
Strom.V: -0,5…18V
T°C: -40…+125°C
Тип логіч. елем.: NAND
auf Bestellung 243 St.:
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L7915CV
Produktcode: 45500
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L79xxC_Rev21_May2012.pdf %5BLumimax%5DL7915CV.pdf
L7915CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220-3
Uin, V: -30
Uout,V: -14.3
Iout,A: 1.5
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Negative
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 275 St.
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