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IRFP150NPBF

Name: IRFP150NPBF
Brand: IR
SKU: 27503
Price: 1.24 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 27503

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 100
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.036
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT

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Technische Details IRFP150NPBF IR

MOSFET, N, 100V, 39A, TO-247AC
Transistor Polarity:N
Max Voltage Vds:100V
On State Resistance:0.036ohm
Power Dissipation:140W
Transistor Case Style:TO-247AC
No. of Pins:3
Case Style:TO-247AC
Cont Current Id:39A
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:1.1`C/W
Lead Spacing:5.45mm
No. of Transistors:1
Power Dissipation Pd:140W
Pulse Current Idm:140A
Termination Type:Through Hole
Transistor Type:MOSFET
Typ Voltage Vds:100V
Typ Voltage Vgs th:4V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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IRFP150NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfp150n-datasheet-v02_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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MOSFETs MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC

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IRFP150NPBF

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Description: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

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IRFP150NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRFP150NPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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IRFP150NPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012813088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFP150NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFP150NPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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BW, MHz: 1.2
Vio, mV(Biasspannung): 5
Geschw. Nar., V/mks: 1
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4

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Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm

verfügbar: 10345 Stück

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Uin, V: 35
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Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
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Макетная плата 6x8 односторонняя, зеленая
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Габарити: 60x80мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 594 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння

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