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IRFP17N50LPBF

IRFP17N50LPBF Vishay Semiconductors

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 16A N-CH MOSFET
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Technische Details IRFP17N50LPBF Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V.

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IRFP17N50LPBF IRFP17N50LPBF Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
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IRFP17N50LPBF Hersteller : VISHAY IRFP17N50LPBF THT N channel transistors
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