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IRFP22N50APBF

IRFP22N50APBF VISHAY

IRFP22N50APBF.pdf Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277W
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.23Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Technische Details IRFP22N50APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Hersteller : VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277W
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.23Ω
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Hersteller : Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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25+5.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Hersteller : Vishay Siliconix irfp22n50a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
3+8.78 EUR
25+6.24 EUR
100+6.01 EUR
500+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfp22n50a.pdf MOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
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Anzahl Preis
1+9.57 EUR
10+8.62 EUR
25+6.41 EUR
100+5.72 EUR
500+5.70 EUR
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Hersteller : Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0014480861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF
Produktcode: 45108
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