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Technische Details IRFP22N50APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - MOSFET, N-KANAL, 500V, 22A, TO-247AC, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP22N50APBF nach Preis ab 4.16 EUR bis 8.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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| IRFP22N50APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - MOSFET, N-KANAL, 500V, 22A, TO-247AC tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP22N50APBF |
IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power |
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IRFP22N50APBF Produktcode: 45108
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 277W Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 0.23Ω Drain current: 14A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
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IRFP22N50APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 277W Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 0.23Ω Drain current: 14A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement |
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