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IRFP22N60K

Hersteller: IR
TO-247
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Technische Details IRFP22N60K IR

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V.

Analogon IRFP22N60K IR

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IRFP22N60KPBF IRFP22N60KPBF
Produktcode: 35348
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Hersteller : IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 22
Rds(on), Ohm: 0.24
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
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IRFP22N60K IRFP22N60K
Produktcode: 149454
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Hersteller : Vishay irfp22n60k-vishay-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 600 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
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IRFP22N60K IRFP22N60K Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
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IRFP22N60K IRFP22N60K Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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