IRFP22N60KPBF
Produktcode: 35348
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 22
Rds(on), Ohm: 0.24
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen IRFP22N60KPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 190283
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 22 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 1 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP22N60KPBF Produktcode: 190283
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFP22N60KPBF nach Preis ab 7.15 EUR bis 13.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFP22N60KPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP22N60KPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.78 EUR |
| 10+ | 10.24 EUR |
| 100+ | 8.47 EUR |
| 500+ | 7.52 EUR |
| 1000+ | 7.15 EUR |
| IRFP22N60KPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.83 EUR |
| IRFP22N60KPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 71 Stücke:
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