IRFP22N60KPBF
Produktcode: 35348
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 600
Idd,A: 22
Rds(on), Ohm: 0.24
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen IRFP22N60KPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 190283
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 22 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 1 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFP22N60KPBF nach Preis ab 7.15 EUR bis 13.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 190283
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 22 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 1 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N60KPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFP22N60KPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 22 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3570 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 13 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFP22N60KPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Код виробника: IRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3 N-кан. MOSFET 600V, 22A, 0.28Ом, 370Вт, TO-247AC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFP22N60KPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 88A |
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