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IRFP23N50LPBF Siliconix

doc?98240
Produktcode: 171515
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
JHGF: THT
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Technische Details IRFP23N50LPBF Siliconix

  • MOSFET, N, 500V, 23A, TO-247AC
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:23A
  • On State Resistance:0.235ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.34`C/W
  • Max Voltage Vds:500V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.235ohm
  • Power Dissipation:370W
  • Power Dissipation Pd:370W
  • Pulse Current Idm:92A
  • Transistor Case Style:TO-247AC

Analogon IRFP23N50LPBF Siliconix

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF
Produktcode: 25263
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Hersteller : Vishay doc?98240 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 23
Rds(on), Ohm: 0.19
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
JHGF: THT
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Anzahl Preis
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF Hersteller : Vishay Siliconix doc?98240 Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF Hersteller : Vishay Semiconductors doc?98240 MOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET
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