IRFP23N50LPBF Vishay
Produktcode: 25263
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 23
Rds(on), Ohm: 0.19
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
JHGF: THT
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Technische Details IRFP23N50LPBF Vishay
- MOSFET, N, 500V, 23A, TO-247AC
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:23A
- On State Resistance:0.235ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:TO-247AC
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.34`C/W
- Max Voltage Vds:500V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.235ohm
- Power Dissipation:370W
- Power Dissipation Pd:370W
- Pulse Current Idm:92A
- Transistor Case Style:TO-247AC
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP23N50LPBF Produktcode: 171515
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|
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26 JHGF: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRFP23N50LPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
IRFP23N50LPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP23N50LPBF Produktcode: 171515
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/26
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| IRFP23N50LPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
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| IRFP23N50LPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1305 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| TL494CDR Produktcode: 123303
3
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|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-16
Eigenschaften: Switching Controllers PWM Controller
Spannung, eing., V: 40 V
I-ausg., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-16
Eigenschaften: Switching Controllers PWM Controller
Spannung, eing., V: 40 V
I-ausg., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 479 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
| 2SB772PT Produktcode: 199132
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: CHENMKO
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
h21,max: 160
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-89
fT: 100 MHz
U, V: 30 V
U, V: 40 V
I, А: 3 А
h21,max: 160
auf Bestellung 989 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| LL4148 Produktcode: 2413
4
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|
![]() |
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Монтаж: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev.,V: 100
Iausricht.,А: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Монтаж: SMD
auf Bestellung 59839 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 22 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1753
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|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 22 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 22 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 4775 St.
erwartet: 20000 St.
- 20000 St. - erwartet
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.0038 EUR |
| 100+ | 0.0024 EUR |
| 1000+ | 0.0017 EUR |









