IRFP250 Siliconix
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| 25+ | 4.63 EUR |
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Technische Details IRFP250 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Analogon IRFP250 Siliconix
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP250 (IRFP250PBF) Produktcode: 7938
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ST |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 33 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 JHGF: THT |
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Weitere Produktangebote IRFP250 nach Preis ab 4.63 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IRFP250 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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| IRFP250 |
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IRFP250 Produktcode: 171437
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 JHGF: THT |
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IRFP250 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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IRFP250 | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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IRFP250 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V |
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IRFP250 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
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IRFP250 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds |
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IRFP250 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp |
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IRFP250 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
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