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IRFP250NPBF

IRFP250NPBF

irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
Produktcode: 40169
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
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Technische Details IRFP250NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.075ohm
  • Power Dissipation:214W
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-247AC
  • Cont Current Id:30A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:214W
  • Pulse Current Idm:120A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250NPBF - MOSFET, N-KANAL, 200V, 30A, TO-247AC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
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BZV85-C15
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BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,066
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
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L7812CV
Produktcode: 29158
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description en.CD00000444.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
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120uF 400V EHL 22x40mm (EHL121M2GBA-Hitano)
Produktcode: 123440
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ehl_20160530-datasheet.pdf
120uF 400V EHL 22x40mm (EHL121M2GBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 120 µF
Nennspannung: 400 V
Reihe: EHL
Temp.Bereich: Низький ESR (Equivalent Series Resistance) і довгий термін служби c широким діапазоном температур. Жорсткі виводи
Abmessungen: ...+105°C
Lebensdauer: 22х40mm
№ 8: 5000 годин
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erwartet 5 St.:
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TIP35C (TO-247, ST)
Produktcode: 125172
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TIP35C (TO-247, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 25 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 112 St.:
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4,7uF 50V EHR 5x11mm (EHR4R7M50B-Hitano)
Produktcode: 1231
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EHR_081225.pdf
4,7uF 50V EHR 5x11mm (EHR4R7M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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