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IRFP250NPBF

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Produktcode: 40169
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2159/123
Montage: THT
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Technische Details IRFP250NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.075ohm
  • Power Dissipation:214W
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-247AC
  • Cont Current Id:30A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:214W
  • Pulse Current Idm:120A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF Infineon irfp250n.pdf description Транзистори
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon
Транзистори
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BZV85-C15
Produktcode: 23982
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BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 15 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 8,9...13,6 mV/K
auf Bestellung: 359 St.
  • 359 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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21+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.046 EUR
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LM358P
Produktcode: 24924
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32/±1,5...16 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 7 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Bandbreite, MHz: 0,7; dU/dt, V/µs: 0,3; Ucm, mV: 7; Rauschen, nV/√Hz: 40; R-to-R verfügbar: -
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
verfügbar: 18 St.
  • 18 St. - stock Köln
auf Bestellung: 372 St.
  • 372 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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5+0.27 EUR
10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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TIP35C (TO-247, ST)
Produktcode: 125172
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TIP35C (TO-247, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 25 А
Montage: THT
auf Bestellung: 154 St.
  • 154 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
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3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3022
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ECR_081225.pdf
3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 54 St.
  • 54 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.98 EUR
10+1.7 EUR
100+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Produktcode: 16343
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HI_Voltage_070726.pdf
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2 nF
Nennspannung: 3 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5V
Toleranz: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
UKTZED: 8532 24 00 00
verfügbar: 139 St.
  • 139 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH