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IRFP250NPBF

IRFP250NPBF

irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
Produktcode: 40169
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
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Technische Details IRFP250NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.075ohm
  • Power Dissipation:214W
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-247AC
  • Cont Current Id:30A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:214W
  • Pulse Current Idm:120A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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22+3.36 EUR
27+2.72 EUR
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68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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1000+2.03 EUR
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN-3363460.pdf MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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L7812CV
Produktcode: 29158
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description en.CD00000444.pdf 845a998d9bf6724e5e8e3f710fd552fe.pdf
L7812CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
auf Bestellung 2354 Stück:
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UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804
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description UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 5721 Stück
485 Stück - stock Köln
5236 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.45 EUR
100+0.20 EUR
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1N5349B
Produktcode: 36545
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description 1n5345b-1n5388b.pdf
1N5349B
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 100mA
Pmax: 5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5938 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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TIP41C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25815
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TIP41.pdf
TIP41C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 6
h21: 75
ZCODE: THT
auf Bestellung 457 Stück:
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Anzahl Preis
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