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IRFP250NPBF

IRFP250NPBF

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Produktcode: 40169
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 30 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2159/123
Montage: THT
auf Bestellung: 144 St.
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Technische Details IRFP250NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.075ohm
  • Power Dissipation:214W
  • Transistor Case Style:TO-247AC
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-247AC
  • Cont Current Id:30A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:214W
  • Pulse Current Idm:120A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1570 Stücke:
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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BZV85-C15
Produktcode: 23982
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BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 15 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 8,9...13,6 mV/K
auf Bestellung: 359 St.
  • 359 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM358P
Produktcode: 24924
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Versorgungsspannung Vc, V: 3...32/±1,5...16 V
Bandbreite BW, MHz: 0,7 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 7 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Bandbreite, MHz: 0,7; dU/dt, V/µs: 0,3; Ucm, mV: 7; Rauschen, nV/√Hz: 40; R-to-R verfügbar: -
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
auf Bestellung: 518 St.
  • 518 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP35C (TO-247, ST)
Produktcode: 125172
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TIP35C (TO-247, ST)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 25 А
Montage: THT
erwartet: 150 St.
  • 150 St. - erwartet 27.08.2026
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4,7uF 50V EHR 5x11mm (EHR4R7M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
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EHR_081225.pdf
4,7uF 50V EHR 5x11mm (EHR4R7M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 14 St.
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3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3022
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3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 3300 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x41 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung: 67 St.
  • 67 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.98 EUR
10+1.7 EUR
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