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Technische Details IRFP250PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP250PBF nach Preis ab 2.25 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP250PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP250PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube |
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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IRFP250PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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