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Technische Details IRFP254PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP254PBF nach Preis ab 1.93 EUR bis 5.39 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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IRFP254PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFP254PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 92A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP254PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 92A |
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IRFP254PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP254PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 250V 23A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP254PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP254PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP254PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP254PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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