IRFP260MPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP260MPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRFP260MPBF nach Preis ab 1.44 EUR bis 5.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
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IRFP260MPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFP260MPBF Produktcode: 113423
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 JHGF: THT |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP260MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP260MPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP260MPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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