IRFP260MPBF
Produktcode: 113423
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRFP260MPBF nach Preis ab 1.39 EUR bis 6.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 6275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 4075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 4075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 3371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
auf Bestellung 23727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP260MPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFP260MPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRFP260MPBF |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP260MPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 4 EUR |
| 24+ | 3.05 EUR |
| 30+ | 2.45 EUR |
| 40+ | 1.79 EUR |
| 50+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
| 125+ | 1.39 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 5.06 EUR |
| 48+ | 3.05 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 400+ | 2 EUR |
| 1200+ | 1.85 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 5.52 EUR |
| 46+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 400+ | 1.89 EUR |
| 1200+ | 1.7 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 5.54 EUR |
| 46+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| 400+ | 2 EUR |
| 1200+ | 1.85 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 36+ | 5.59 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 3371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.83 EUR |
| 25+ | 3.28 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 2.02 EUR |
| 2000+ | 1.89 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
auf Bestellung 23727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.41 EUR |
| 10+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.12 EUR |
| 400+ | 2.62 EUR |
| 1200+ | 2.43 EUR |
| 2800+ | 2.29 EUR |
| IRFP260MPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFP260MPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRFP260MPBF
IRFP260MPBF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 2.04 EUR |
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| Akku 12V 7.2Ah Blei-Säure AGM (SBL 7,2-12) Produktcode: 188621
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: SSB
Akkus > Blei-Säure-Batterien
Technologie: Blei-Säure (AGM)
Größe / Abmessungen: 151x65x94 mm
Kapazität: 7,2 Ah
Form: Quader
Spannung, V: 12 V
Maximaler Ladestrom, A: 2,16 A
Gewicht: 2,15 kg
Besonderheiten: Anschluss: 4,8 mm
Akkus > Blei-Säure-Batterien
Technologie: Blei-Säure (AGM)
Größe / Abmessungen: 151x65x94 mm
Kapazität: 7,2 Ah
Form: Quader
Spannung, V: 12 V
Maximaler Ladestrom, A: 2,16 A
Gewicht: 2,15 kg
Besonderheiten: Anschluss: 4,8 mm
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3 St.:
| 680uF 450V ELP 40x50mm (ELP681M2WBB-Hitano) (электролитический конденсатор) Produktcode: 154048
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 680 µF
Nennspannung: 450 V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: з жорсткими виводами, 85С
Abmessungen: -25...+85°C
Lebensdauer: 40х50mm
№ 8: 2000 годин
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 680 µF
Nennspannung: 450 V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: з жорсткими виводами, 85С
Abmessungen: -25...+85°C
Lebensdauer: 40х50mm
№ 8: 2000 годин
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 15 St.:








