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IRFP260N

IRFP260N

irfp260n.pdf
Produktcode: 18423
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/254
Montage: THT
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Technische Details IRFP260N IR

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:50A
  • On State Resistance:0.04ohm
  • Case Style:TO-247AC
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:300W
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:200A
  • Transistor Case Style:TO-247AC

Möglichen Substitutionen IRFP260N IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260NPBF IRFP260NPBF
Produktcode: 47253
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IR infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
auf Bestellung 24 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFP260NPBF
Produktcode: 47253
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infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
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IRFP260N description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
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IRFP260N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRFP260N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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1N4742A
Produktcode: 211241
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1N4728SEMTECH.pdf
1N4742A
Hersteller: Semtech
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 21 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0.045...0.085 %/°C
auf Bestellung 1185 St.:
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UF4007
Produktcode: 17804
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description UF4001-4007.pdf
UF4007
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Bemerkung: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Montage: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 5416 St.
  • 1035 St. - stock Köln
  • 4381 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRFP460APBF
Produktcode: 22361
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irfp460A.pdf
IRFP460APBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3520/56
Montage: THT
verfügbar: 137 St.
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TIP41C (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25815
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TIP41.pdf
TIP41C (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 6 А
h21: 75
Montage: THT
auf Bestellung 221 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 1 A
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 V
auf Bestellung 69200 St.:
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