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IRFP260N

IRFP260N

irfp260n.pdf
Produktcode: 18423
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/254
Montage: THT
auf Bestellung: 90 St.
  • 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFP260N IR

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:50A
  • On State Resistance:0.04ohm
  • Case Style:TO-247AC
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:300W
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Pulse Current Idm:200A
  • Transistor Case Style:TO-247AC

Möglichen Substitutionen IRFP260N IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260NPBF IRFP260NPBF
Produktcode: 47253
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IR infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 12 St.
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IRFP260NPBF
Produktcode: 47253
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infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
erwartet: 30 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
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IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
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IRFP260N International Rectifier description N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRFP260N description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 220V; 20V; 48mOhm; 50A; 350W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP260; IRFP260N; SP001552016; IRFP260N JSMICRO TIRFP260n JSM
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IRFP260N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRFP260N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 В
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 21 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 Вт
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0,045...0,085 %/°C
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP460APBF
Produktcode: 22361
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IRFP460APBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3520/56
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
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TIP41C (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 25815
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TIP41.pdf
TIP41C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Transitfrequenz fT: 3 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Stromverstärkung h21: 75
Montage: THT
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
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1+0.52 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 40794 St.
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5408
Produktcode: 2135
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1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev., V: 1000 V
Iausr., A: 3 A
Beschreibung: Gleichrichter VR=1000V, IF=3A, IFSM=200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,2 В
verfügbar: 65 St.
  • 65 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3048 St.
  • 3048 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.082 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.07 EUR
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