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IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 47253
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
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  • 30 St. - erwartet 20.09.2026
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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35+5.02 EUR
74+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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33+5.31 EUR
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100+2.03 EUR
500+1.99 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.5 EUR
20+4.26 EUR
25+3.81 EUR
50+3.49 EUR
100+3.2 EUR
400+2.73 EUR
500+2.65 EUR
800+2.52 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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1+7.22 EUR
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1200+2.73 EUR
2800+2.57 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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3+7.77 EUR
25+4.37 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 7083 Stücke:
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26+9.65 EUR
46+5.13 EUR
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500+3.81 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3710 Stücke:
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500+2.48 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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16+5.5 EUR
20+4.26 EUR
25+3.81 EUR
50+3.49 EUR
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400+2.73 EUR
500+2.65 EUR
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MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 7083 Stücke:
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46+5.13 EUR
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BT151-500R (JCT151-500R)
Produktcode: 32575
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BT151-500R (JCT151-500R)
Hersteller: NXP/JJM
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Uzu, V: 500 V
Durchlassstrom I-auf, mA: 15 mA
Maximalstrom Imax, A: 12 A
verfügbar: 8 St.
  • 8 St. - stock Köln
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.57 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Produktcode: 162061
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kls4-3540s-dats.jpg
10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 кОм
Beschreibung: Widerstand veränderbar Draht linear; Leistung = 2W (bei +70°C), Genauigkeit: ± 5%, max. Spannung = 500V; -55...+125°C; Befestigung in Gehäuse, Gewinde 3/8", Einbauöffnung10mm.
Typ: Dreh, Mehrgang
Abmessungen: D=22 mm
Leistung: 2 Вт
Kennlinie: linear
erwartet: 300 St.
  • 300 St. - erwartet 22.10.2026
auf Bestellung: 33 St.
  • 33 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Produktcode: 165115
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Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Netzteile und Ladegeräte > Lademodule, Balancer und BMS
Beschreibung: Ladegerät für Li-Po mit Schutz 18650. Anschluss': type "C. Strom: 1A
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Maximaler Strom: 1 А
27x17x4 мм
Anzahl der Zellen: 1
Gerätetyp: Lademodul
erwartet: 50 St.
  • 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 5439 St.
  • 5439 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.65 EUR
100+0.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4742A
Produktcode: 211241
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1N4728SEMTECH.pdf
1N4742A
Hersteller: Semtech
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 В
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 21 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 Вт
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0,045...0,085 %/°C
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
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5,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-5R1)
Produktcode: 11174
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SQP_080911.pdf
5,1 Ohm 5W 5% (SQP50JB-5R1)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Nennwert: 5,1 Ohm
Leistung: 5 W
Toleranz: ±5%
U Betriebs. max., V: 750 V
Abmessungen, mm: 22.0x10.0x9.5; dlead = 0.8
Typ: bedrahtet, Zement, drahtgewickelt
auf Bestellung: 496 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
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100+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
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