Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 47253
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP260N IRFP260N
Produktcode: 18423
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IR irfp260n.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
JHGF: THT
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100 St. - erwartet 05.07.2026
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IRFP260N
Produktcode: 18423
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description irfp260n.pdf
IRFP260N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254
JHGF: THT
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+3.34 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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36+4.06 EUR
39+3.73 EUR
100+2.97 EUR
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1000+2.77 EUR
2000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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1000+2.57 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1016 Stücke:
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16+4.62 EUR
20+3.58 EUR
25+3.2 EUR
50+2.93 EUR
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400+2.29 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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10+5.17 EUR
100+4.15 EUR
400+3.52 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 14377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.5 EUR
25+5.46 EUR
100+4.5 EUR
500+3.72 EUR
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2000+3.27 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3710 Stücke:
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AnzahlPreis
163+3.34 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
38+3.9 EUR
40+3.6 EUR
100+2.91 EUR
500+2.81 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 16734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
36+4.06 EUR
39+3.73 EUR
100+2.97 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.77 EUR
2000+2.7 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 16738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
36+4.08 EUR
39+3.66 EUR
100+2.87 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.44 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1016 Stücke:
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AnzahlPreis
16+4.62 EUR
20+3.58 EUR
25+3.2 EUR
50+2.93 EUR
100+2.69 EUR
400+2.29 EUR
500+2.23 EUR
800+2.12 EUR
1000+2.06 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
auf Bestellung 2941 Stücke:
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AnzahlPreis
1+8.48 EUR
10+5.17 EUR
100+4.15 EUR
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1200+3.24 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 14377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+9.5 EUR
25+5.46 EUR
100+4.5 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.48 EUR
2000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP260NPBF INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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BT151-500R (JCT151-500R)
Produktcode: 32575
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BT151-500Rdsa.pdf
BT151-500R (JCT151-500R)
Hersteller: NXP/JJM
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
U,zu,V: 500V
I-auf,mA: 15mA
Imax,A: 12A
verfügbar: 156 St.
8 St. - stock Köln
148 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
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10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Produktcode: 162061
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kls4-3540s-dats.jpg
10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Резистор змінний дротяний лінійний; потужність = 2W (при +70°С), точність: ± 5%, макс. напр. = 500V; -55...+125°C; кріплення в корпус, різьба 3/8", посадковий отв.10мм.
Typ: Поворотний багатооборотний
Abmessungen: D=22 мм
Потужність: 2 W
Характеристика: Лінійний
auf Bestellung 62 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 310 St.:
300 St. - erwartet
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IRF740PBF
Produktcode: 162988
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91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 729 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Зарядное для Li-Po "type C" (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Produktcode: 165115
60 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Зарядное для Li-Po "type C" (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Netzteile und Ladegeräte > Зарядні модулі, балансири та BMS
Beschreibung: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 V
Maximaler Strom: 1 A
27x17x4 mm
Кількість елементів: 1
Gerätetyp: Зарядний модуль
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 6000 St.
6000 St. - erwartet 25.07.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4742A
Produktcode: 211241
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1N4728SEMTECH.pdf
1N4742A
Hersteller: Semtech
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12 V
Istab.direkt,A: 21mA
Pmax: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
auf Bestellung 1190 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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