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IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 47253
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
auf Bestellung 23 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260N IRFP260N
Produktcode: 18423
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IR irfp260n.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/254
Montage: THT
auf Bestellung 98 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFP260N
Produktcode: 18423
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description irfp260n.pdf
IRFP260N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/254
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+4.07 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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38+4.75 EUR
40+4.28 EUR
100+3.42 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
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38+4.75 EUR
40+4.38 EUR
100+3.55 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.5 EUR
20+4.26 EUR
25+3.81 EUR
50+3.49 EUR
100+3.2 EUR
400+2.73 EUR
500+2.65 EUR
800+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 16013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.65 EUR
32+5.47 EUR
100+4.4 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.28 EUR
2000+3.03 EUR
5000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 16013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.7 EUR
32+5.38 EUR
100+4.27 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.05 EUR
2000+2.74 EUR
5000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 14291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.89 EUR
25+5.69 EUR
100+4.69 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.62 EUR
2000+3.4 EUR
5000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.09 EUR
10+6.15 EUR
100+4.94 EUR
400+4.19 EUR
1200+3.86 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 7566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.95 EUR
36+6.45 EUR
100+4.9 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+4.07 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IRFP260NPBF infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.75 EUR
40+4.28 EUR
100+3.42 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.75 EUR
40+4.38 EUR
100+3.55 EUR
500+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.5 EUR
20+4.26 EUR
25+3.81 EUR
50+3.49 EUR
100+3.2 EUR
400+2.73 EUR
500+2.65 EUR
800+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 16013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.65 EUR
32+5.47 EUR
100+4.4 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.28 EUR
2000+3.03 EUR
5000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 16013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.7 EUR
32+5.38 EUR
100+4.27 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.05 EUR
2000+2.74 EUR
5000+2.62 EUR
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.89 EUR
25+5.69 EUR
100+4.69 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.62 EUR
2000+3.4 EUR
5000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFP260NPBF Infineon_IRFP260N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.09 EUR
10+6.15 EUR
100+4.94 EUR
400+4.19 EUR
1200+3.86 EUR
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IRFP260NPBF INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 7566 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21+11.95 EUR
36+6.45 EUR
100+4.9 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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BT151-500R (JCT151-500R)
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BT151-500R (JCT151-500R)
Hersteller: NXP/JJM
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Uzu, V: 500 V
Durchlassstrom I-auf, mA: 15 mA
Maximalstrom Imax, A: 12 A
verfügbar: 137 St.
  • 8 St. - stock Köln
  • 129 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
  • 300 St. - erwartet 25.07.2026
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100+0.52 EUR
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10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Produktcode: 162061
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kls4-3540s-dats.jpg
10 kOhm 3540S (KLS4-3540S-103)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 кОм
Beschreibung: Widerstand veränderbar Draht linear; Leistung = 2W (bei +70°C), Genauigkeit: ± 5%, max. Spannung = 500V; -55...+125°C; Befestigung in Gehäuse, Gewinde 3/8", Einbauöffnung10mm.
Typ: Dreh, Mehrgang
Abmessungen: D=22 mm
Leistung: 2 Вт
Kennlinie: linear
auf Bestellung 56 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 300 St.:
300 St. - erwartet 22.10.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
auf Bestellung 645 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Produktcode: 165115
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Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Netzteile und Ladegeräte > Lademodule, Balancer und BMS
Beschreibung: Ladegerät für Li-Po mit Schutz 18650. Anschluss': type "C. Strom: 1A
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Maximaler Strom: 1 А
27x17x4 мм
Anzahl der Zellen: 1
Gerätetyp: Lademodul
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet 01.08.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4742A
Produktcode: 211241
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1N4728SEMTECH.pdf
1N4742A
Hersteller: Semtech
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 В
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 21 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 Вт
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 0,045...0,085 %/°C
auf Bestellung 790 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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