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IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

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Produktcode: 47253
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4057/234
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon_irfp260n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF Infineon Technologies infineon-irfp260n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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3+7.35 EUR
25+4.14 EUR
50+3.72 EUR
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON INFN-S-A0012838278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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27+9.52 EUR
47+4.96 EUR
100+4.18 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP260NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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47+4.96 EUR
100+4.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFP260NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 22907 St.
  • 22907 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.039 EUR
39+0.031 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 31 St.
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10uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 19008
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EXR_080421.pdf
10uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)10uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
10uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)10uF 25V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 998 St.
  • 998 St. - stock Köln
auf Bestellung: 7982 St.
  • 7982 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
1000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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R16 5 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Produktcode: 28628
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 5 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15)
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 5 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 91 St.
  • 91 St. - stock Köln
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 24.10.2026
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.81 EUR
10+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL431ILP
Produktcode: 30497
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431ILP
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-92
Kurzbeschreibung: Programmierbare Referenzspannungsquelle von 2,5V bis 36V, Genauigkeit 1%
Spannung: 0...36 V
Temp.-Bereich: -40…+85°C
Montage: THT
Gerätetyp: Referenzspannungsquelle
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.6 EUR
10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31676
11 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 55 St.
  • 55 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.098 EUR
16+0.079 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
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