Technische Details IRFP264N IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-247AC, Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В, Drain-Strom Idd, A: 44 А, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210, Montage: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRFP264N Produktcode: 27857
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В Drain-Strom Idd, A: 44 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210 Montage: THT |
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IRFP264N | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp |
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| IRFP264N Produktcode: 27857
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
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| IRFP264N |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp
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