Technische Details IRFP264NPBF IR
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 380W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFP264NPBF nach Preis ab 2.9 EUR bis 3.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRFP264NPBF Produktcode: 197506
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Lieblingsprodukt
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В Drain-Strom Idd, A: 44 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210 Montage: THT |
auf Bestellung: 4 St.
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IRFP264NPBF Produktcode: 219855
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В Drain-Strom Idd, A: 44 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210 Montage: THT |
auf Bestellung: 46 St.
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| IRFP264NPBF | Vishay Semiconductor |
N-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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IRFP264NPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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IRFP264NPBF | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP264NPBF Produktcode: 197506
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
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| 1+ | 3.13 EUR |
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| IRFP264NPBF Produktcode: 219855
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.13 EUR |
| 10+ | 2.9 EUR |
| IRFP264NPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductor
N-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
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| IRFP264NPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| IRFP264NPBF |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp
MOSFETs N-Chan 250V 44 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
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