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IRFP3077PBF

IRFP3077PBF

irfp3077pbf.pdf
Produktcode: 24931
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 75
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
JHGF: THT
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3077-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3077pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3077-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3077-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP3077_DataSheet_v01_01_EN-3363245.pdf MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 25320 Stück
1164 Stück - stock Köln
24156 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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EL817S(C)
Produktcode: 122670
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el817sc-datasheet.pdf
EL817S(C)
Hersteller: Everlight
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 5 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50 mA
U ausg, V: 35 V
Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
auf Bestellung 1308 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 29.06.2025
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S1M (Toshiba)
Produktcode: 123317
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S1M (Toshiba)
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Austauschbar: S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, GS1A, GS1B, GS1D, GS1G, GS1J, GS1K, GS1M, 1N4007/M7
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 3114 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Макетная плата 4x6 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144387
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Макетная плата 4x6 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 40x60мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 280 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1088 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet
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Макетная плата 8cm x12cm односторонняя, зеленая
Produktcode: 144392
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Макетная плата 8cm x12cm односторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 80x120мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 1247 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
auf Bestellung 614 Stück:
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erwartet 500 Stück:
500 Stück - erwartet
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