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IRFP3703PBF

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Produktcode: 41216
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6 MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6 Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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3+8.17 EUR
25+4.73 EUR
100+3.91 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : INFINEON 676680.pdf Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies 000743.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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