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IRFP3703PBF

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Produktcode: 41216
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8250/209
Montage: THT
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10+4.46 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
43+4.03 EUR
100+3.34 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.03 EUR
2000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
43+4.12 EUR
100+3.46 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.28 EUR
2000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.15 EUR
100+3.96 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.57 EUR
2000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.3 EUR
100+4.14 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.88 EUR
2000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6 Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
25+5.71 EUR
100+4.72 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6 MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+6.5 EUR
100+4.63 EUR
400+4.49 EUR
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON 676680.pdf Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.57 EUR
35+6.64 EUR
100+5.14 EUR
500+4.37 EUR
1000+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.67 EUR
26+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRFP3703PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4552 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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43+4.03 EUR
100+3.34 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.03 EUR
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IRFP3703PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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AnzahlPrivatkunde
3+9.87 EUR
25+5.71 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
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