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IRFP3703PBF

IRFP3703PBF

irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6
Produktcode: 41216
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 30
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0028
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
JHGF: THT
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3703-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3703-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP3703_DataSheet_v01_01_EN-3363382.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6 Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 3
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
15+4.76 EUR
100+2.86 EUR
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : INFINEON irfp3703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628f0be1ff6 Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.0023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3703-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies 000743.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3703PBF IRFP3703PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3703-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRLB3034PBF
Produktcode: 36195
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irlb3034pbf-datasheet.pdf
IRLB3034PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 42 Stück:
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200 Stück - erwartet 29.06.2025
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P6KE30A
Produktcode: 28129
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P6KE6.8-200 series.pdf
P6KE30A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 30
auf Bestellung 4655 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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P6KE12CA
Produktcode: 27293
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P6KE6.8-200 series.pdf
P6KE12CA
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 12
n: 10,2 V
n: 5 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 1770 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.14 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.074 EUR
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IRFP460A
Produktcode: 22361
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description irfp460A.pdf
IRFP460A
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
JHGF: THT
verfügbar: 155 Stück
5 Stück - stock Köln
150 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.96 EUR
10+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3306PBF
Produktcode: 1056
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description irfp3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628df311ff2
IRFP3306PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
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