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IRFP4004PBF

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Produktcode: 54267
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 40
Idd,A: 350
Rds(on), Ohm: 01.07.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 8920/220
JHGF: THT
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Technische Details IRFP4004PBF IR

  • MOSFET, 40V 350A TO-247AC
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:40V
  • Cont Current Id:350A
  • On State Resistance:1.35mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to + 175`C
  • Max Voltage Vds:40V
  • Power Dissipation:380W
  • Pulse Current Idm:1390A
  • Transistor Case Style:TO-247AC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP4004PBF IRFP4004PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4004datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4004PBF IRFP4004PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838336-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 1700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP4004PBF IRFP4004PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4004datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4004PBF IRFP4004PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562905f41ffc Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V
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