Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1

IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
16+4.48 EUR
25+2.95 EUR
28+2.56 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Weitere Produktangebote IRFP4110PBFXKMA1 nach Preis ab 2.03 EUR bis 7.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.34 EUR
10+4.42 EUR
100+3.34 EUR
400+2.87 EUR
1200+2.57 EUR
2800+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
25+4.36 EUR
100+3.57 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.87 EUR
41+3.52 EUR
100+2.86 EUR
400+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
auf Bestellung 6510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.3 EUR
41+3.5 EUR
100+2.76 EUR
400+2.18 EUR
2800+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
auf Bestellung 6510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.31 EUR
41+3.59 EUR
100+2.88 EUR
400+2.31 EUR
2800+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+7.34 EUR
10+4.42 EUR
100+3.34 EUR
400+2.87 EUR
1200+2.57 EUR
2800+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 1411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+7.71 EUR
25+4.36 EUR
100+3.57 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 3743176.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
25+5.87 EUR
41+3.52 EUR
100+2.86 EUR
400+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
auf Bestellung 6510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
24+6.3 EUR
41+3.5 EUR
100+2.76 EUR
400+2.18 EUR
2800+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
auf Bestellung 6510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
24+6.31 EUR
41+3.59 EUR
100+2.88 EUR
400+2.31 EUR
2800+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH