IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.22 EUR |
| 18+ | 3.98 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| 250+ | 1.8 EUR |
| 400+ | 1.79 EUR |
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Technische Details IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFP4110PBFXKMA1 nach Preis ab 2.04 EUR bis 6.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 2556 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005732688 |
auf Bestellung 3859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4110PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
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