IRFP4229PBF


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Produktcode: 55867
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 44 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4560/72
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4229PBF IRFP4229PBF Infineon Technologies infineonirfp4229datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFP4229PBF IRFP4229PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4229_DataSheet_v01_01_EN-3363319.pdf MOSFETs MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg
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IRFP4229PBF International Rectifier HiRel Products irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008 Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008 IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power
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