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IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies


infineon-irfp4229-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
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Technische Details IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 310W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4229datasheeten.pdf Power MOSFET
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 44A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 310W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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37+6.35 EUR
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Description: INFINEON - IRFP4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 250V
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Verlustleistung: 310W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: HEXFET Series
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