
IRFP4310ZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP4310ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP4310ZPBF nach Preis ab 1.39 EUR bis 28.16 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP4310ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 6mΩ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP4310ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 6mΩ Gate-source voltage: ±20V |
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IRFP4310ZPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFP4310ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP4310ZPBF | Hersteller : IR |
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IRFP4310ZPBF Produktcode: 40700
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Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-247 JHGF: THT |
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![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
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