IRFP4710PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 202+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.54 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 10000+ | 2.10 EUR |
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Technische Details IRFP4710PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFP4710PBF nach Preis ab 2.10 EUR bis 8.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFP4710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 23375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4710PBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4710PBF Produktcode: 83493
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFP4710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V |
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