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IRFP7530PBF

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Produktcode: 202365
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.62 EUR
800+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.63 EUR
800+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+2.92 EUR
500+2.72 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1765 Stücke:
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188+2.92 EUR
500+2.72 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2238 Stücke:
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47+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.68 EUR
17+4.23 EUR
25+2.92 EUR
30+2.39 EUR
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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31+4.87 EUR
32+4.59 EUR
50+4.32 EUR
100+4.08 EUR
250+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
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28+5.31 EUR
44+3.29 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP7530_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
auf Bestellung 1862 Stücke:
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1+6.72 EUR
10+2.87 EUR
100+2.66 EUR
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies irfp7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562caf372027 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
25+4.11 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON INFN-S-A0012813807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFP7530PBF infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf
IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
400+2.62 EUR
800+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
400+2.63 EUR
800+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
188+2.92 EUR
500+2.72 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1765 Stücke:
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188+2.92 EUR
500+2.72 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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AnzahlPreis
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IRFP7530PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
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AnzahlPreis
16+4.68 EUR
17+4.23 EUR
25+2.92 EUR
30+2.39 EUR
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
31+4.87 EUR
32+4.59 EUR
50+4.32 EUR
100+4.08 EUR
250+3.9 EUR
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auf Bestellung 157 Stücke:
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AnzahlPreis
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44+3.29 EUR
100+2.74 EUR
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+6.72 EUR
10+2.87 EUR
100+2.66 EUR
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.22 EUR
25+4.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFP7530PBF INFN-S-A0012813807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP7530PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
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