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IRFP7530PBF

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Produktcode: 202365
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP7530_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562caf372027 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLB8743PBF
Produktcode: 124979
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IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
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IR4427PBF
Produktcode: 74249
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IR4427PBF
Hersteller: Infineon

DIP-8
Gate Drivers Dual Lw Sd Drvr
auf Bestellung 57 St.:
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1607 St.
25 St. - stock Köln
1582 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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