IRFP7530PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP7530PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.00165 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFP7530PBF nach Preis ab 1.39 EUR bis 5.68 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP7530PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO247 |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.00165 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF Produktcode: 202365 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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