
IRFP7530PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP7530PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP7530PBF nach Preis ab 1.82 EUR bis 6.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP7530PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Trade name: StrongIRFET Polarisation: unipolar Gate charge: 274nC On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 341W Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Case: TO247AC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Trade name: StrongIRFET Polarisation: unipolar Gate charge: 274nC On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 341W Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Case: TO247AC Kind of package: tube |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 3112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP7530PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP7530PBF Produktcode: 202365
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