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IRFP7530PBF

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Produktcode: 202365
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
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800+3.11 EUR
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4654 Stücke:
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188+3.52 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.03 EUR
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 341W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 281A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 2mΩ
auf Bestellung 61 Stücke:
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16+5.57 EUR
17+5.03 EUR
25+3.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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28+6.39 EUR
44+3.96 EUR
100+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP7530_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies irfp7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562caf372027 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
auf Bestellung 1339 Stücke:
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3+10.09 EUR
25+5.82 EUR
100+4.8 EUR
500+3.97 EUR
1000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON INFN-S-A0012813807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
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25+10.38 EUR
43+5.52 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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30+5.89 EUR
58+3.03 EUR
100+2.77 EUR
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IRFP7530PBF IRFP7530PBF Infineon Technologies infineonirfp7530datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 257 Stücke:
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51+3.42 EUR
100+3.08 EUR
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
400+3.15 EUR
800+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3275 Stücke:
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400+3.17 EUR
800+3.05 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 341W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 281A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 2mΩ
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17+5.03 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 400 Stücke:
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31+5.87 EUR
32+5.53 EUR
50+5.2 EUR
100+4.91 EUR
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
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28+6.39 EUR
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO247
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IRFP7530PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
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IRFP7530PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
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25+10.38 EUR
43+5.52 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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