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IRFPE50PBF

IRFPE50PBF Vishay

doc91248.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details IRFPE50PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : Vishay doc91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91248.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : Vishay doc91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : Vishay doc91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0014407236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFPE50PBF IRFPE50PBF Hersteller : Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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