IRFPF50 Siliconix
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFPF50 TIRFPF50
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| 5+ | 9.29 EUR |
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Technische Details IRFPF50 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRFPF50 |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFPF50 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V |
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IRFPF50 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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