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IRFR014PBF

IRFR014PBF Vishay

sihfr014.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2832 Stücke:
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Technische Details IRFR014PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR014PBF IRFR014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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88+1.99 EUR
99+1.74 EUR
150+1.52 EUR
1050+1.15 EUR
2025+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRFR014PBF IRFR014PBF VISHAY IRFR014PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.68 EUR
69+1.24 EUR
75+1.14 EUR
79+1.08 EUR
82+1.05 EUR
150+0.99 EUR
1050+0.84 EUR
2025+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFR014PBF IRFR014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.43 EUR
105+1.59 EUR
118+1.38 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRFR014PBF IRFR014PBF Vishay Semiconductors sihfr014.pdf MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.61 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.09 EUR
9000+1.04 EUR
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IRFR014PBF IRFR014PBF Vishay Siliconix sihfr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR014PBF IRFR014PBF VISHAY VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
136+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRFR014PBF IRFR014PBF VISHAY VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
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100+5.18 EUR
116+2.01 EUR
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IRFR014PBF IRFR014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
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IRFR014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+1.99 EUR
99+1.74 EUR
150+1.52 EUR
1050+1.15 EUR
2025+1.06 EUR
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IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2457 Stücke:
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69+1.24 EUR
75+1.14 EUR
79+1.08 EUR
82+1.05 EUR
150+0.99 EUR
1050+0.84 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
51+3.43 EUR
105+1.59 EUR
118+1.38 EUR
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1000+0.92 EUR
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IRFR014PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+1.87 EUR
100+1.61 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.09 EUR
9000+1.04 EUR
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IRFR014PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1120 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.19 EUR
75+1.89 EUR
150+1.7 EUR
525+1.44 EUR
1050+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR014PBF VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
136+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.18 EUR
116+2.01 EUR
125+1.73 EUR
136+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014PBF sihfr014.pdf
IRFR014PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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