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| Anzahl | Preis |
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| 215+ | 0.68 EUR |
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Technische Details IRFR014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR014PBF nach Preis ab 0.34 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRFR014PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR014PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
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IRFR014PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 N CHAN 60V |
auf Bestellung 4878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR014PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR014PBF | Hersteller : VISHAY |
IRFR014PBF SMD N channel transistors |
auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |