IRFR014TRRPBF
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Technische Details IRFR014TRRPBF
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 4.9A, Pulsed drain current: 31A, Power dissipation: 25W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.2Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IRFR014TRRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFR014TRRPBF | Vishay / BC Components | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFR014TRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| IRFR014TRRPBF |
Hersteller: Vishay / BC Components
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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| IRFR014TRRPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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