IRFR024NPBF
Produktcode: 34111
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
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Technische Details IRFR024NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 16A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:16A
- On State Resistance:0.07ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Current Temperature:25`C
- External Depth:10.5mm
- External Length / Height:2.55mm
- External Width:6.8mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:38W
- Power Dissipation Pd:38W
- Pulse Current Idm:68A
- SMD Marking:IRFR024N
- Transistor Case Style:D-PAK
Möglichen Substitutionen IRFR024NPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRFR024NTRPBF Produktcode: 42276
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 55 Idd,A: 16 Rds(on), Ohm: 0.075 JHGF: SMD |
verfügbar: 134 St.
20 St. - stock Köln
114 St. - lieferbar in 3-4 Wochen |
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Weitere Produktangebote IRFR024NPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR024NPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
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| IRFR024NPBF | Hersteller : International Rectifier |
TO-252 (DPAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC |
Produkt ist nicht verfügbar |