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IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
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Technische Details IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon

Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Möglichen Substitutionen IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF
Produktcode: 42276
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Hersteller : IR irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
verfügbar: 57 Stück
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IRFR024N -IR IRFR024N -IR
Produktcode: 34110
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Hersteller : IR irfr024n-ir.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
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IRFR024NPBF IRFR024NPBF
Produktcode: 34111
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Hersteller : IR irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Transistoren > MOSFET N-CH
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Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
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IRFR024NPBF IRFR024NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFR024NPBF IRFR024NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFR024NPBF IRFR024NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN-1732789.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC
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