IRFR024NTRPBF
verfügbar 279 Stück:
20 Stück - stock Köln
259 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.34 EUR |
10+ | 0.32 EUR |
100+ | 0.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:17A
- On Resistance, Rds(on):75mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:DPAK
Möglichen Substitutionen IRFR024NTRPBF IR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR024N -IR Produktcode: 34110 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 55 Idd,A: 16 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 370/20 JHGF: SMD |
verfügbar: 12 Stück
|
|
Weitere Produktangebote IRFR024NTRPBF nach Preis ab 0.35 EUR bis 3.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
auf Bestellung 163500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
auf Bestellung 163584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11643 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 11643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC |
auf Bestellung 51400 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 122760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
auf Bestellung 2576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm |
auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 602 Stück
erwartet:
2000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.34 EUR |
10+ | 0.31 EUR |
IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1175 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.26 EUR |
10+ | 0.23 EUR |
IRLR2905Z Produktcode: 4031 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 86 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRLML2803TRPBF Produktcode: 27051 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2062 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.29 EUR |
100+ | 0.13 EUR |
SG3525AP Produktcode: 29169 |
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PWM Controllers 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 400
Temperaturbereich: -25…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PWM Controllers 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 400
Temperaturbereich: -25…+85°C
auf Bestellung 135 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |