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IRFR024NTRPBF

IRFR024NTRPBF

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Produktcode: 42276
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
auf Bestellung: 97 St.
  • 97 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.37 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.48 EUR
4000+0.42 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.49 EUR
183+0.46 EUR
191+0.45 EUR
199+0.43 EUR
250+0.4 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 93675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.5 EUR
4000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
10000+0.42 EUR
14000+0.4 EUR
20000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.52 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.39 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.64 EUR
4000+0.57 EUR
6000+0.52 EUR
10000+0.48 EUR
14000+0.44 EUR
20000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 93954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 72157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
194+1.2 EUR
224+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 72157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
194+1.2 EUR
224+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
auf Bestellung 34559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.5 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.37 EUR
12000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.48 EUR
4000+0.42 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+0.49 EUR
183+0.46 EUR
191+0.45 EUR
199+0.43 EUR
250+0.4 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 93675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.5 EUR
4000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
10000+0.42 EUR
14000+0.4 EUR
20000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
335+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
4000+0.4 EUR
8000+0.38 EUR
12000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
335+0.52 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.39 EUR
8000+0.36 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.64 EUR
4000+0.57 EUR
6000+0.52 EUR
10000+0.48 EUR
14000+0.44 EUR
20000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 93954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 72157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.95 EUR
194+1.2 EUR
224+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 72157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.95 EUR
194+1.2 EUR
224+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
auf Bestellung 34559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.62 EUR
10+1.5 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
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IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
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  • 1011 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2245
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X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 52000 St.
  • 52000 St. - erwartet 10.08.2026
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10000+0.018 EUR
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung: 1428 St.
  • 1428 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
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IRLML2030TRPBF
Produktcode: 38414
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irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec
IRLML2030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/1.0
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 655 St.
  • 655 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.17 EUR
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220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2973
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ECR_081225.pdf
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 296 St.
  • 296 St. - stock Köln
erwartet: 10153 St.
  • 10000 St. - erwartet 10.08.2026
  • 153 St. - erwartet
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.075 EUR
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1000+0.051 EUR
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