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IRFR024NTRPBF

Name: IRFR024NTRPBF
Brand: IR
SKU: 42276
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c

Produktcode: 42276

Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD

verfügbar 138 St.:

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118 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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Technische Details IRFR024NTRPBF IR

MOSFET
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N Channel
Drain Source Voltage, Vds:55V
Continuous Drain Current, Id:17A
On Resistance, Rds(on):75mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
Package/Case:DPAK

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Beschreibung

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 38W
Technology: HEXFET®

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183+	0.39 EUR
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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V

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14+	1.28 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 83902 Stücke:

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK

auf Bestellung 2576 Stücke:

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD

verfügbar: 1212 St.

15 St. - stock Köln
1197 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2245

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100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000

auf Bestellung 17453 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 52000 St.:

52000 St. - erwartet 30.08.2026

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100+	0.0099 EUR
1000+	0.0074 EUR
10000+	0.0054 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596

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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90

auf Bestellung 2178 St.:

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10+	0.11 EUR
100+	0.1 EUR

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IRLML2030TRPBF
Produktcode: 38414

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irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 1041 St.

60 St. - stock Köln
981 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

100nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W104K1HL2-L)
Produktcode: 2894

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100nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W104K1HL2-L)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15W104K1HL-2L
№ 8: 8532 24 00 00

verfügbar: 863 St.

erwartet: 10000 St.

10000 St. - erwartet

Anzahl	Preis
10+	0.06 EUR
100+	0.037 EUR
1000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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