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IRFR024NTRPBF

IRFR024NTRPBF

infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 42276
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
auf Bestellung: 32 St.
  • 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 218000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.32 EUR
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.5 EUR
6000+0.44 EUR
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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303+0.58 EUR
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 89302 Stücke:
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18+1.21 EUR
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 71153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
238+0.98 EUR
272+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 71153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 218000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.32 EUR
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.32 EUR
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 218000 Stücke:
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.5 EUR
6000+0.44 EUR
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
303+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
303+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
auf Bestellung 40686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.73 EUR
10+0.87 EUR
100+0.73 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.43 EUR
4000+0.4 EUR
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IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
95+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 89302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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238+0.98 EUR
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500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 71153 Stücke:
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238+0.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4090 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
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description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 673 St.
  • 673 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung: 3303 St.
  • 3303 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.18 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2030TRPBF
Produktcode: 38414
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infineon-irlml2030-datasheet-en.pdf
IRLML2030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/1.0
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 292 St.
  • 292 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.17 EUR
100+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Kabelschuh flach "Buchse" 4,8мм (2670.05.00.9)
Produktcode: 169618
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Kabelschuh flach "Buchse" 4,8мм (2670.05.00.9)
Hersteller: IMP
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Kabelschuh: flach; 4,8 mm; "Buchse
Bestimmung: Unisoliert Steckverbinder
Drahtquerschnitt u.a. Größen: 0,5...2 mm²
Größe: 4,8 мм
Montage: Für Draht
Kabelschuhtyp: Flach
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 St.
  • 2000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
13+0.094 EUR
100+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 63V EHR 8x12mm (EHR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3034
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EHR_081225.pdf
47uF 63V EHR 8x12mm (EHR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 100 St.
  • 100 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3669 St.
  • 3669 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.098 EUR
15+0.082 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH