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IRFR024NTRPBF

IRFR024NTRPBF

irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Produktcode: 42276
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
verfügbar 163 St.:
20 St. - stock Köln
143 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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Technische Details IRFR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):75mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4000+0.34 EUR
6000+0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
191+0.38 EUR
199+0.36 EUR
250+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.49 EUR
4000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Anzahl Preis
276+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 276
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Anzahl Preis
278+0.53 EUR
307+0.46 EUR
310+0.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 278
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275+0.51 EUR
278+0.49 EUR
307+0.43 EUR
310+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 241
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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14+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : INFINEON irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 84797 Stücke:
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : INFINEON irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFR024NTRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 2576 Stücke:
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
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description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 1227 St.
15 St. - stock Köln
1212 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.31 EUR
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100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2245
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X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 21438 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 52000 St.:
52000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.0099 EUR
1000+0.0074 EUR
10000+0.0054 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 2498 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.13 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2030TRPBF
Produktcode: 38414
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irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec
IRLML2030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1081 St.
60 St. - stock Köln
1021 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano)
Produktcode: 2973
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ECR_081225.pdf
220uF 25V ECR 8x12mm (ECR221M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 988 St.
296 St. - stock Köln
692 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet
Anzahl Preis
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10+0.06 EUR
100+0.032 EUR
1000+0.029 EUR
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