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IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF

irfr9024npbf.pdf
Produktcode: 23070
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar 1227 St.:
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Technische Details IRFR9024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-11A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):175mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:38W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88000 Stücke:
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20000+0.27 EUR
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.56 EUR
4000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
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14000+0.46 EUR
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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1000+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 127
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
89+0.81 EUR
127+0.56 EUR
200+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
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4000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15551 Stücke:
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IRFR9024NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - MOSFET, P-KANAL, -55V, -11A, TO-252AA-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15551 Stücke:
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IRFR9024NTRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 978 Stücke:
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IRFR9024NTRPBF irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
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20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11243
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rc_series_20150401_1.pdf
20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 20 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 18205 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 33407 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.2 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.0069 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 201941 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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description irlr2905pbf-datashet.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1289 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 29075 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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