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IRFR9024NTRPBF

Name: IRFR9024NTRPBF
Brand: IR
SKU: 23070
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 23070

Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD

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Technische Details IRFR9024NTRPBF IR

MOSFET
Transistor Polarity:P Channel
Continuous Drain Current, Id:-11A
Drain Source Voltage, Vds:-55V
On Resistance, Rds(on):175mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
Power Dissipation, Pd:38W

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfr9024n-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132

Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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148+	0.97 EUR
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250+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.41 EUR

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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1000+	0.38 EUR

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

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52+	1.39 EUR
86+	0.84 EUR
201+	0.36 EUR
212+	0.34 EUR
4000+	0.33 EUR

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Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN-3363169.pdf

MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFR9024NTRPBF

MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK

auf Bestellung 978 Stücke:

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Anzahl	Preis
8+	0.82 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK=TO-252AA

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IRFR9024NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 11243

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20 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 20 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

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100+	0.04 EUR
1000+	0.00 EUR

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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735

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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)

Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805

auf Bestellung 91950 Stück:

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SS14
Produktcode: 1577

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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10

auf Bestellung 7023 Stück:

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1+	0.06 EUR
10+	0.05 EUR
100+	0.02 EUR
1000+	0.02 EUR

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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544

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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)

Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805

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LL4148
Produktcode: 2413

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Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD

auf Bestellung 50261 Stück:

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