IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
5
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.34 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
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Technische Details IRFR9024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-11A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):175mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:38W
Weitere Produktangebote IRFR9024NTRPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 198000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 198000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 57496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 58465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
auf Bestellung 18747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
auf Bestellung 13588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR9024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
auf Bestellung 13588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 608 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR9024NTRPBF |
MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.47 EUR |
| 4000+ | 0.44 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.47 EUR |
| 4000+ | 0.45 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 4000+ | 0.46 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 4000+ | 0.45 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 851+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.66 EUR |
| 6000+ | 0.63 EUR |
| 10000+ | 0.6 EUR |
| 14000+ | 0.58 EUR |
| 20000+ | 0.56 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 122+ | 1.19 EUR |
| 185+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.59 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2000+ | 0.45 EUR |
| 4000+ | 0.43 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 1.42 EUR |
| 79+ | 0.91 EUR |
| 120+ | 0.6 EUR |
| 200+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 58465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.62 EUR |
| 11+ | 1.65 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.78 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
auf Bestellung 18747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.66 EUR |
| 4000+ | 0.59 EUR |
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 13588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 13588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFR9024NTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
| IRFR9024NTRPBF |
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MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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| IRFR024NTRPBF Produktcode: 42276
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
verfügbar: 117 St.
- 20 St. - stock Köln
- 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.34 EUR |
| 10+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 42147
2
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|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 65279 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 1000+ | 0.0069 EUR |
| 10000+ | 0.0055 EUR |
| IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 2874 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.26 EUR |
| 10+ | 0.23 EUR |
| 4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 39597
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 4,7 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 4,7 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 5000 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.0028 EUR |
| 100+ | 0.0013 EUR |
| 1000+ | 0.00067 EUR |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104) Produktcode: 60735
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 116549 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)










