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IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF

irfr9024npbf.pdf
Produktcode: 23070
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 1026 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 1011 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.37 EUR
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Technische Details IRFR9024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-11A
  • Drain Source Voltage, Vds:-55V
  • On Resistance, Rds(on):175mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:38W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.58 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.58 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.6 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.6 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.74 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.65 EUR
10000+0.63 EUR
14000+0.61 EUR
20000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
851+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 851 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
185+0.94 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.44 EUR
185+0.92 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
79+1.08 EUR
120+0.71 EUR
200+0.63 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 58181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
auf Bestellung 18234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+1.69 EUR
100+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.71 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 13588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
124+1.88 EUR
190+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 13588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
124+1.88 EUR
190+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR9024NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr9024npbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
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IRFR9024NTRPBF irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 description MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.58 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.58 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.6 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.6 EUR
4000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.74 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.65 EUR
10000+0.63 EUR
14000+0.61 EUR
20000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
851+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 851 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.44 EUR
185+0.94 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.44 EUR
185+0.92 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+1.69 EUR
79+1.08 EUR
120+0.71 EUR
200+0.63 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 58181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.75 EUR
13+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC
auf Bestellung 18234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.84 EUR
10+1.69 EUR
100+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.71 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 13588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
124+1.88 EUR
190+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 13588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
124+1.88 EUR
190+1.13 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 11 А, Ptot, Вт = 38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
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IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
MOSFET 20V 11A (44A pulse), P Channel DPAK
auf Bestellung 63 Stücke:
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IRFR024NTRPBF
Produktcode: 42276
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description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 117 St.
  • 20 St. - stock Köln
  • 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.4 EUR
10+0.38 EUR
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100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung 45574 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
AnzahlPrivatkunde
10+0.24 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.0082 EUR
10000+0.0065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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IRLR024NTRPBF
Produktcode: 22061
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description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 2774 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.27 EUR
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4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39597
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RC0603HIT.pdf
4,7 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K4471FT-KOME) (Widerstand SMD)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 5000 St.
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.0033 EUR
    100+0.0015 EUR
    1000+0.0008 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
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    100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
    Produktcode: 60735
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    		yageo-datasheet-cap.pdf
    100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
    Hersteller: Yageo
    Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
    Kapazität: 100 нФ
    Nennspannung: 50 В
    Dielektrikum: X7R
    Präzision: ±10% K
    Größentyp: 0805
    auf Bestellung 103521 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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