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IRLR024NTRPBF

IRLR024NTRPBF

infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 22061
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2498 St.
  • 2498 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.49 EUR
100+0.46 EUR
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Technische Details IRLR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):65mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.42 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.42 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 430000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.43 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 430000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.43 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 11853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.42 EUR
77+1.11 EUR
92+0.93 EUR
121+0.7 EUR
148+0.58 EUR
176+0.49 EUR
185+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.43 EUR
179+0.93 EUR
228+0.7 EUR
260+0.6 EUR
500+0.44 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.43 EUR
179+0.95 EUR
228+0.73 EUR
260+0.62 EUR
500+0.48 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.65 EUR
166+1 EUR
217+0.74 EUR
251+0.61 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
50+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
auf Bestellung 49947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF International Rectifier/Infineon irlr024npbf.pdf description N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 1932 Stücke:
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IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.42 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.42 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 430000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.43 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 430000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.43 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 11853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+1.42 EUR
77+1.11 EUR
92+0.93 EUR
121+0.7 EUR
148+0.58 EUR
176+0.49 EUR
185+0.46 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.43 EUR
179+0.93 EUR
228+0.7 EUR
260+0.6 EUR
500+0.44 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.43 EUR
179+0.95 EUR
228+0.73 EUR
260+0.62 EUR
500+0.48 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.65 EUR
166+1 EUR
217+0.74 EUR
251+0.61 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 4793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.8 EUR
19+1.13 EUR
50+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
auf Bestellung 49947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.82 EUR
10+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 8189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
202+1.15 EUR
229+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 1932 Stücke:
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ATtiny13A-SSU
Produktcode: 36096
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description attiny13a-ssu.pdf
ATtiny13A-SSU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: SOIC-8 JEDEC
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 1K Byte im System programmierbar Flash
Versorgungsspannung, V: 1,8...5,5 V
Kerntyp: AVR
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
ZCODE: 8542 31 90 00
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 20.09.2026
auf Bestellung: 905 St.
  • 905 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.03 EUR
10+1.84 EUR
100+1.67 EUR
1000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 16334 St.
  • 16334 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
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Lochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grün
Produktcode: 144388
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Lochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grünLochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grün
Lochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grünLochrasterplatine 5x7 doppelseitig, grün
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 50x70 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine doppelseitig mit durchkontaktierten Bohrungen, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 432 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: doppelseitig
erwartet: 2030 St.
  • 1000 St. - erwartet 30.09.2026
  • 1000 St. - erwartet 14.01.2027
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 433 St.
  • 433 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.63 EUR
10+0.56 EUR
100+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2210
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RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
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description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 746 St.
  • 746 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.64 EUR
10+0.58 EUR
100+0.52 EUR
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