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IRLR024NTRPBF

IRLR024NTRPBF

infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 22061
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 4136 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.26 EUR
10+0.23 EUR
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Technische Details IRLR024NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:17A
  • On Resistance, Rds(on):65mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:DPAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.33 EUR
4000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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426+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 426
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auf Bestellung 176000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.35 EUR
4000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
150+0.48 EUR
186+0.39 EUR
203+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
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150+0.48 EUR
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2000+0.25 EUR
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.22 EUR
200+0.7 EUR
241+0.56 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 119
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLR024N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
auf Bestellung 13119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.29 EUR
10+0.75 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.35 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 7610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
24+0.76 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4464 Stücke:
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR024NTRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf DPAK=TO-252
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR024NTRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Udss, В = 55; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25; Qg, нКл = 15; Rds = 65 мОм; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 5 В; DPAK
auf Bestellung 520 Stücke:
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IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
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20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
verfügbar: 161 Stück
erwartet: 15000 Stück
15000 Stück - erwartet 25.11.2025
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 264348 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3693
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RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 2670 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100000 Stück:
100000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 48337 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.2 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.0069 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
Produkt ist nicht verfügbar
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