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IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec
Produktcode: 38414
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar 1095 Stück:
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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612+0.28 EUR
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
280+0.26 EUR
508+0.14 EUR
722+0.099 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML2030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 28
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 2,7 А; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15; Qg, нКл = 1 @ 4,5 В; Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA; SOT-23-3
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IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec IRLML2030TRPBF Транзисторы
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IRLML2030TRPBF Hersteller : UMW irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
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IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 2.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2030-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
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TSOP34836
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TSOP34836
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 2.5-5.5
Zusätzlich: Fotoempfaenger 36kHz
Тип: Фотоприймач
verfügbar: 366 Stück
7 Stück - stock Köln
359 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20 Stück
Anzahl Preis
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 1849 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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Piezoemitter KLS3-MWC-12*7.5-A2
Produktcode: 56653
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20120510165257KLS3-MWC-1275.pdf
Piezoemitter KLS3-MWC-12*7.5-A2
Hersteller: KLS
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Lautsprecher, Sound Emittern, Summer
Beschreibung: Piezoemitter,Lauddruck Niveau: 85 dB - 10 cm, Spannung: 3Vdc, Nominalstrom: 2-5Vdc, Resonanzfrequenz: 2.3±0.5KHz, Energieverbrauch: 30mA, Betriebstemperatur: -20 ... +70C,Gewicht: 2 Gramm
Abmessungen: D=12mm, h=7,5mm, P=7,6mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 3 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 20.03.2026
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
100+0.37 EUR
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PBS1,27-12 (KLS1-208C-3.4-1-12-S)
Produktcode: 161823
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kls1-208c-datasheet.pdf
PBS1,27-12 (KLS1-208C-3.4-1-12-S)
+1
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Гнізда однорядні на плату прямі, 12 контактів, крок 1,27мм, 1А, Gold Flash, DIP
Stecker/Buchse: Гніздо (розетка)
Schritt: 1,27 mm
Anzahl Reihen: однорядні
Anzahl Kontakte: 12
auf Bestellung 865 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Produktcode: 17877
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taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 4911 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.16 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH