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IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

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Produktcode: 38414
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar 715 St.:
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 219000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6265 Stücke:
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432+0.33 EUR
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3000+0.089 EUR
6000+0.071 EUR
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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374+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 374
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2585 Stücke:
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186+0.39 EUR
207+0.35 EUR
233+0.31 EUR
410+0.17 EUR
619+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
auf Bestellung 687 Stücke:
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Anzahl Preis
28+0.63 EUR
46+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML2030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
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4+0.74 EUR
10+0.47 EUR
100+0.3 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7749 Stücke:
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML2030TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml2030pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 99 Stücke:
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IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec IRLML2030TRPBF Транзисторы
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML2030TRPBF Hersteller : International Rectifier irLML2030pbf.pdf MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
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TSOP34836
Produktcode: 22030
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tsop322-datasheet-vishay.pdf
TSOP34836
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 2.5-5.5
Zusätzlich: Fotoempfaenger 36kHz
Тип: Фотоприймач
verfügbar: 194 St.
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187 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 8617 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
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IRLML0060TRPBF
Produktcode: 38412
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infineon-irlml0060-ds-en.pdf
IRLML0060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.092
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1505 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.096 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF
Produktcode: 38416
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml9303pbf-datasheet.pdf
IRLML9303TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.165
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 1162 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Piezoemitter KLS3-MWC-12*7.5-A2
Produktcode: 56653
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
20120510165257KLS3-MWC-1275.pdf
Piezoemitter KLS3-MWC-12*7.5-A2
Hersteller: KLS
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Lautsprecher, Sound Emittern, Summer
Beschreibung: Piezoemitter,Lauddruck Niveau: 85 dB - 10 cm, Spannung: 3Vdc, Nominalstrom: 2-5Vdc, Resonanzfrequenz: 2.3±0.5KHz, Energieverbrauch: 30mA, Betriebstemperatur: -20 ... +70C,Gewicht: 2 Gramm
Abmessungen: D=12mm, h=7,5mm, P=7,6mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 3 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
auf Bestellung 785 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
100+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH