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IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

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Produktcode: 38414
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/1.0
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 715 St.
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.42 EUR
676+0.26 EUR
934+0.18 EUR
1065+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 1.3W
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
200+0.43 EUR
230+0.37 EUR
329+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML2030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
auf Bestellung 59218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 21419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 21419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Infineon Technologies irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLML2030TRPBF International Rectifier/Infineon irlml2030pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 99 Stücke:
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IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664aef525ec IRLML2030TRPBF Транзисторы
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
428+0.42 EUR
676+0.26 EUR
934+0.18 EUR
1065+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
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IRLML2030TRPBF infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf
IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
374+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 1.3W
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+0.51 EUR
200+0.43 EUR
230+0.37 EUR
329+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRLML2030TRPBF Infineon_IRLML2030_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC
auf Bestellung 59218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.02 EUR
10+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRLML2030TRPBF infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf
IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML2030TRPBF infineonirlml2030datasheetv0101en.pdf
IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2030TRPBF INFN-S-A0012813698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2030TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 21419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 21419 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRLML2030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 1 @ 4,5 В, Rds = 100 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,3 В @ 25 мкA,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 99 Stücke:
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IRLML0060TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 1351 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSOP34836
Produktcode: 22030
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tsop322-datasheet-vishay.pdf
TSOP34836
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 2,5...5,5 V
Zusätzlich: Frequenz: 36 kHz
Typ: Fotoempfänger
verfügbar: 524 St.
  • 7 St. - stock Köln
  • 517 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 St.
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    1+0.64 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLML6402TRPBF
    Produktcode: 27968
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    		IRLML6402.pdf
    IRLML6402TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
    Drain-Strom Id, A: 3,7 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
    Anmerkung: Logikpegelansteuerung
    Montage: SMD
    ZCODE: 8541 21 00 90
    auf Bestellung 6844 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.13 EUR
    10+0.12 EUR
    100+0.11 EUR
    1000+0.095 EUR
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    IRLML6401TRPBF
    Produktcode: 34344
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    		irlml6401pbf-datasheet.pdf
    IRLML6401TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
    Drain-Strom Id, A: -4,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
    Anmerkung: Logikpegelansteuerung
    Montage: SMD
    auf Bestellung 13818 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    10+0.19 EUR
    100+0.12 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLML9303TRPBF
    Produktcode: 38416
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    		irlml9303pbf-datasheet.pdf
    IRLML9303TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
    Drain-Strom Id, A: 2,3 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,165 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 160/2.0
    Anmerkung: Logikpegelansteuerung
    Montage: SMD
    auf Bestellung 2625 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH