IRLML0060TRPBF
Produktcode: 38412
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.17 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRLML0060TRPBF nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
auf Bestellung 60878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 55499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 55499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
auf Bestellung 43169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
auf Bestellung 60878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 193257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 193257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори |
auf Bestellung 4330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1947 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
| 15000+ | 0.18 EUR |
| 21000+ | 0.17 EUR |
| 30000+ | 0.15 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
| 15000+ | 0.19 EUR |
| 21000+ | 0.18 EUR |
| 30000+ | 0.17 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6000+ | 0.25 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 60878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.25 EUR |
| 15000+ | 0.24 EUR |
| 21000+ | 0.23 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 389+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2500+ | 0.38 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 272+ | 0.64 EUR |
| 285+ | 0.6 EUR |
| 300+ | 0.55 EUR |
| 499+ | 0.31 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 272+ | 0.64 EUR |
| 285+ | 0.61 EUR |
| 300+ | 0.57 EUR |
| 499+ | 0.33 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 0.76 EUR |
| 159+ | 0.54 EUR |
| 239+ | 0.36 EUR |
| 283+ | 0.3 EUR |
| 332+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
auf Bestellung 43169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 60878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.3 EUR |
| 27+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 193257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.3 EUR |
| 327+ | 0.71 EUR |
| 493+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 193257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 194+ | 1.3 EUR |
| 327+ | 0.71 EUR |
| 493+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: UMW
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 0.11 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1947 Stücke:
Mit diesem Produkt kaufen
| IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
7
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 2994 St.
- 60 St. - stock Köln
- 2934 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.11 EUR |
| 10+ | 0.095 EUR |
| 4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung) Produktcode: 67047
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung 3486 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.087 EUR |
| IRLML5203TRPBF Produktcode: 25596
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 1553 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.15 EUR |
| 10+ | 0.13 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 765 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.33 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 42147
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung 42624 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 8000 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.0082 EUR |
| 10000+ | 0.0065 EUR |







