IRLML0060TRPBF
Produktcode: 38412
2
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.18 EUR |
| 10+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 55499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 15416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 55499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg |
auf Bestellung 79925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 164160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
auf Bestellung 164160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLML0060TRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори |
auf Bestellung 4330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML0060TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1947 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| 24000+ | 0.13 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| 9000+ | 0.13 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6000+ | 0.32 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 389+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 2500+ | 0.38 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 293+ | 0.58 EUR |
| 296+ | 0.57 EUR |
| 403+ | 0.42 EUR |
| 672+ | 0.24 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 15416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 99+ | 0.87 EUR |
| 153+ | 0.56 EUR |
| 217+ | 0.39 EUR |
| 254+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 0.95 EUR |
| 298+ | 0.56 EUR |
| 301+ | 0.54 EUR |
| 410+ | 0.37 EUR |
| 683+ | 0.21 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
auf Bestellung 79925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.01 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 164160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 169+ | 1.48 EUR |
| 382+ | 0.61 EUR |
| 435+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 164160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 169+ | 1.48 EUR |
| 382+ | 0.61 EUR |
| 435+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: UMW
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 0.11 EUR |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1947 Stücke:
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| IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
7
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
- 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 13296 St.
- 13296 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung) Produktcode: 67047
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
erwartet: 400 St.
- 400 St. - erwartet
auf Bestellung: 264 St.
- 264 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.094 EUR |
| 10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo) Produktcode: 106453
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 50 В
Bauform: 0603
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 50 В
Bauform: 0603
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.0039 EUR |
| 1000+ | 0.0031 EUR |
| 10000+ | 0.0018 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
22
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 37195 St.
- 37195 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.039 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2381 St.
- 2381 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.33 EUR |
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |








