Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF


infineon-irlml0060-ds-en.pdf
Produktcode: 38412
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,092 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 290/2,5
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 826 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.17 EUR
10+0.14 EUR
100+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRLML0060TRPBF nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
30000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml0060-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 60878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.64 EUR
285+0.6 EUR
300+0.55 EUR
499+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.64 EUR
285+0.61 EUR
300+0.57 EUR
499+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.76 EUR
159+0.54 EUR
239+0.36 EUR
283+0.3 EUR
332+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLML0060-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
auf Bestellung 43169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml0060-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 60878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 193257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.3 EUR
327+0.71 EUR
493+0.44 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 193257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.3 EUR
327+0.71 EUR
493+0.44 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies poto273aa.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF UMW infineon-irlml0060-ds-en.pdf MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF International Rectifier/Infineon irlml0060pbf_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1947 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
30000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF infineon-irlml0060-ds-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 60878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
21000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
389+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.64 EUR
285+0.6 EUR
300+0.55 EUR
499+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.64 EUR
285+0.61 EUR
300+0.57 EUR
499+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+0.76 EUR
159+0.54 EUR
239+0.36 EUR
283+0.3 EUR
332+0.26 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF Infineon-IRLML0060-DS-v01_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
auf Bestellung 43169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF infineon-irlml0060-ds-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
auf Bestellung 60878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 193257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+1.3 EUR
327+0.71 EUR
493+0.44 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 193257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+1.3 EUR
327+0.71 EUR
493+0.44 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF poto273aa.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF infineon-irlml0060-ds-en.pdf
Hersteller: UMW
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,7 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 25 4,5 В, Rds = 92 мОм @ 2,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1947 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 2994 St.
  • 60 St. - stock Köln
  • 2934 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.11 EUR
10+0.095 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Produktcode: 67047
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung 3486 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.19 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml5203pbf-datasheet.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 1553 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.15 EUR
10+0.13 EUR
100+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml9301pbf-datasheet.pdf
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 765 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.33 EUR
10+0.19 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung 42624 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 8000 St.:
AnzahlPrivatkunde
10+0.24 EUR
100+0.024 EUR
1000+0.0082 EUR
10000+0.0065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH