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IRLML9303TRPBF

IRLML9303TRPBF

irlml9303pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 38416
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.165
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 1162 St.:
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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560+0.26 EUR
581+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
317+0.23 EUR
481+0.15 EUR
569+0.13 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
807+0.089 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
46+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLML9303-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
auf Bestellung 3105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML9303TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml9303pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 160 @ 25, Qg, нКл = 2 @ 4.5 В, Rds = 165 мОм @ 2,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRLML9303TRPBF Hersteller : KLS irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 SOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML9303TRPBF Hersteller : TYS irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML9303TRPBF Hersteller : UMW irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 SOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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88 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 15000 St.
15000 St. - erwartet 05.06.2026
Anzahl Preis
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Produktcode: 87248
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IRLML6244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 2793 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Produktcode: 1173
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IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 3707 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6302TRPBF
Produktcode: 45727
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datasheet-irlml6302pbf.pdf
IRLML6302TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 0.78
Rds(on),Om: 0.60
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 2396 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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