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IRLML9303TRPBF

IRLML9303TRPBF

irlml9303pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 38416
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 2.3
Rds(on),Om: 0.165
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 2973 Stück:
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 183000 Stücke:
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3000+0.09 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
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3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.092 EUR
15000+0.091 EUR
30000+0.086 EUR
75000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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571+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
298+0.24 EUR
432+0.17 EUR
506+0.14 EUR
758+0.094 EUR
794+0.09 EUR
3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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1142+0.12 EUR
1187+0.11 EUR
1284+0.096 EUR
3000+0.065 EUR
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML9303_DataSheet_v01_01_EN-3363399.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml9303-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml9303-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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IRLML9303TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 2,3 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 160 @ 25; Qg, нКл = 2 @ 4.5 В; Rds = 165 мОм @ 2,3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 2280 Stücke:
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 11565 Stück
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erwartet: 200 Stück
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 5341 Stück:
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 2446 Stück:
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IRLML2803TRPBF
Produktcode: 27051
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irlml2803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356682aff260f
IRLML2803TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 941 Stück
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