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IRLML9303TRPBF

IRLML9303TRPBF

irlml9303pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 38416
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,165 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 160/2,0
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2352 St.
  • 2352 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9303pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
317+0.27 EUR
481+0.18 EUR
569+0.15 EUR
667+0.13 EUR
705+0.12 EUR
807+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Infineon Technologies irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642 Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLML9303-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF Infineon Technologies infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRLML9303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
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IRLML9303TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.43 EUR
317+0.27 EUR
481+0.18 EUR
569+0.15 EUR
667+0.13 EUR
705+0.12 EUR
807+0.11 EUR
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IRLML9303TRPBF irlml9303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ef1d2642
IRLML9303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRLML9303TRPBF Infineon-IRLML9303-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLML9303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
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IRLML9303TRPBF infineonirlml9303datasheetv0101en.pdf
IRLML9303TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML9303TRPBF INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9303TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLML9303TRPBF INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9303TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
erwartet: 21000 St.
  • 21000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 2288 St.
  • 2288 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6244TRPBF
Produktcode: 87248
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irlml6244pbf-datasheet.pdf
IRLML6244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Idd, A: 5,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 21 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/8,9
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 1393 St.
  • 1393 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 3521 St.
  • 3521 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21: 600
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.036 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.027 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6302TRPBF
Produktcode: 45727
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
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IRLML6302TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 0,78 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 97/2,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 216 St.
  • 216 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH