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IRLML6302TRPBF

IRLML6302TRPBF

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Produktcode: 45727
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 0.78
Rds(on),Om: 0.60
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6302datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6302datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6302datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 MOSFET 20V 0.78A (4.9A pulse), P Channel SOT-23-3
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IRLML6302TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 IRLML6302TRPBF SMD P channel transistors
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642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 178
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IRLML6302TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня; Udss, В = 20; Id = 780 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15; Qg, нКл = 3,6 @ 4,45; Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23
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IRLML6302TRPBF  IRLML6302TRPBF  Транзисторы MOS FET Small Signal
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 2295irlml6302pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS09610-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 2295irlml6302pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356688c702627 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
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IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML6302_DataSheet_v01_01_EN-3363493.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 9444 Stück:
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IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 12755 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.16 EUR
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IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595
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infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 2012 Stück
90 Stück - stock Köln
1922 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRLML6244TRPBF
Produktcode: 87248
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irlml6244pbf-datasheet.pdf
IRLML6244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 4806 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uH 10% 0805 (SWI0805HT101K-Hitano) индуктивность
Produktcode: 112273
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swi_ver3_20151216.pdf
100uH 10% 0805 (SWI0805HT101K-Hitano) индуктивность
Hersteller: Hitano
Drosseln > Induktivität 0805
Nennwert: 100 µH
Genauigkeit: ±10%
Größe: 0805
Eigenschaften: дротова, високий струм; IDC max=100mA
100 mA
9,75 Ohm
auf Bestellung 1712 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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