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Technische Details IRFR024PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFR024PBF nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.26 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 N CHAN 60V |
auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |