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IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

Name: IRFR1018ETRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1589701-5
Price: 1620.00 EUR
Availability: InStock

infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Infineon Technologies

irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042

Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V

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141+	1.24 EUR
165+	1.04 EUR
250+	1 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.95 EUR
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123+	1.44 EUR
139+	1.23 EUR
141+	1.17 EUR
165+	0.95 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.82 EUR
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200+	1.23 EUR
500+	1.04 EUR
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INFINEON

INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg

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Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V

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10+	2.38 EUR
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INFINEON

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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58+	4.38 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR1018ETRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V

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4000+	1 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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139+	1.26 EUR
141+	1.24 EUR
165+	1.04 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Anzahl	Privatkunde
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
123+	1.44 EUR
139+	1.23 EUR
141+	1.17 EUR
165+	0.95 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.81 EUR

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17976 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
100+	1.77 EUR
130+	1.33 EUR
200+	1.23 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.93 EUR
5000+	0.79 EUR
12000+	0.75 EUR

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Anzahl	Privatkunde
85+	2.08 EUR
100+	1.96 EUR
250+	1.84 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.65 EUR
2500+	1.58 EUR
5000+	1.5 EUR

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg

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2+	3.17 EUR
10+	2.01 EUR
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1000+	0.98 EUR
2000+	0.83 EUR

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V

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10+	2.38 EUR
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1000+	1.17 EUR

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Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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