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IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr15n20dpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr15n20dpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR15N20D_DataSheet_v01_01_EN-3363327.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
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10+1.62 EUR
25+1.61 EUR
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCED13265235EA&compId=IRFR15N20DTRPBF.pdf?ci_sign=f4fbed7f90d41b3074d6e145e3b9867c8706beca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCED13265235EA&compId=IRFR15N20DTRPBF.pdf?ci_sign=f4fbed7f90d41b3074d6e145e3b9867c8706beca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
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