IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR15N20DTRPBF nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms |
auf Bestellung 6349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4599 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR15N20DTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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