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IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

irfr15n20dpbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.86 EUR
4000+0.8 EUR
6000+0.76 EUR
10000+0.73 EUR
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Technische Details IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1 EUR
176+0.98 EUR
187+0.9 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.07 EUR
175+0.99 EUR
200+0.88 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.14 EUR
174+0.96 EUR
176+0.93 EUR
187+0.83 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR15N20D_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
auf Bestellung 6255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.43 EUR
100+1.24 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.08 EUR
2000+0.96 EUR
4000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 4786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
250+1.61 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies irfr15n20dpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 10175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 4786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
98+2.39 EUR
250+1.61 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+1 EUR
176+0.98 EUR
187+0.9 EUR
250+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.07 EUR
175+0.99 EUR
200+0.88 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
154+1.14 EUR
174+0.96 EUR
176+0.93 EUR
187+0.83 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
129+1.34 EUR
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MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.43 EUR
100+1.24 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.08 EUR
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4000+0.94 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 4786 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.39 EUR
250+1.61 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
auf Bestellung 10175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFR15N20DTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 4786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.68 EUR
98+2.39 EUR
250+1.61 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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