Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFR1N60ATRPBF (IR) Transistor

IRFR1N60ATRPBF (IR) Transistor

irfr1n60a-datasheet.pdf
Produktcode: 47827
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 1,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Omh
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 229/14
Montage: SMD
auf Bestellung: 29 St.
  • 29 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.79 EUR
10+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 21-28 Tag (e)
Mindestmenge: 2 St.
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFR1N60ATRPBF (IR) Transistor nach Preis ab 1.2 EUR bis 4.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
112+1.92 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
88+2.64 EUR
112+1.92 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.3 EUR
4000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 3457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF sihfr1n6.pdf
IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
112+1.92 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+4.07 EUR
88+2.64 EUR
112+1.92 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF sihfr1n6.pdf
IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.3 EUR
4000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1N60ATRPBF sihfr1n6.pdf
IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 3457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

KFZ-Sicherung maxi 40A (orange Plug type fuse 29.2x34.3x8.9mm 40A)
Produktcode: 171882
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
KFZ-Sicherung maxi 40A (orange Plug type fuse 29.2x34.3x8.9mm 40A)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Sicherungen Auto
Größe: maxi (29.2mm)
Nennstrom, A: 40 A
Farbe: orange
Typ: Плавкий
auf Bestellung: 189 St.
  • 189 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.46 EUR
10+0.42 EUR
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Produktcode: 52241
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 05.10.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.24 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMICA-SOT93 Silikon-Pad 20x24mm für SO-T93/TO-3P
Produktcode: 26111
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
smicato220_.pdf
SMICA-SOT93 Silikon-Pad 20x24mm für SO-T93/TO-3P
Hersteller: NINIGI
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Silikon-Pad für SOT93/TOP-3, 0 .4K/W, 10kV/mm
Größe: 24x20x0.3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3031 St.
  • 3031 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.36 EUR
10+0.3 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH