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IRFR1N60ATRPBF (Transistor)

irfr1n60a-datasheet.pdf
Produktcode: 47827
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 600 V
Idd,A: 1,4 A
Rds(on), Ohm: 7 Omh
Ciss, pF/Qg, nC: 229/14
JHGF: SMD
auf Bestellung 29 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.08 EUR
4000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.15 EUR
100+1.49 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.97 EUR
4000+0.92 EUR
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IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
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10+2.33 EUR
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IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
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IRFR1N60ATRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 1.4 Amp
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100+1.49 EUR
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IRFR1N60ATRPBF
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Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
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Gro?entyp: 1206
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SMICA SOT-93 Dichtung Silikon 20x24mm fur SO-T93/TO-3P
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Beschreibung: Dichtung Silikon, für SOT93/TOР-3, 0.4К/W, 10kV/mm
Größe: 24x20x0,3mm
Матеріал: Силікон
білий
verfügbar: 74 St.
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