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IRFR220NPBF

IRFR220NPBF

irfr220npbf-223238.pdf
Produktcode: 113425
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 600 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/15
Montage: SMD
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Technische Details IRFR220NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:5A
  • On State Resistance:0.6ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.5`C/W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Power Dissipation:43W
  • Power Dissipation Pd:43W
  • Pulse Current Idm:20A
  • SMD Marking:IRFR220N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR220NPBF International Rectifier irfr220npbf.pdf description D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
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IRFR220NPBF IRFR220NPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f description Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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IRFR220NPBF IRFR220NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
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IRFR220NPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f description Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR220NPBF description irfr220npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
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IRFR220NPBF description irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
IRFR220NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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IRFR220NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
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IRFR220NPBF description irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V)
Produktcode: 22143
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Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 1A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 1 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 240 St.
  • 240 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 6673 St.
  • 6673 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.063 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
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BZV55-C62
Produktcode: 30132
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BZV55.pdf
BZV55-C62
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 62 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 2 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 64,4 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
verfügbar: 300 St.
  • 300 St. - stock Köln
auf Bestellung: 509 St.
  • 509 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.058 EUR
100+0.043 EUR
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100 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-100KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2143
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RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-100KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 17885 St.
  • 17885 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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PDZ2.4B
Produktcode: 1938
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-323
Stabilisierungsspannung Vz, V: 2,4 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 0,166
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
auf Bestellung: 616 St.
  • 616 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
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24 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-24R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1645
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rc_series_20150401_1.pdf
24 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-24R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 24 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2681 St.
  • 2681 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH