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IRFR220NPBF

IRFR220NPBF

irfr220npbf-223238.pdf
Produktcode: 113425
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 600 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/15
Montage: SMD
auf Bestellung 219 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFR220NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:5A
  • On State Resistance:0.6ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.5`C/W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Power Dissipation:43W
  • Power Dissipation Pd:43W
  • Pulse Current Idm:20A
  • SMD Marking:IRFR220N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR220NPBF International Rectifier irfr220npbf.pdf description D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
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IRFR220NPBF IRFR220NPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f description Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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IRFR220NPBF IRFR220NPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
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IRFR220NPBF description irfr220npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
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IRFR220NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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IRFR220NPBF description Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR220NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
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Nennstrom: 1 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 9675 St.
  • 240 St. - stock Köln
  • 9435 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 8748 St.
  • 280 St. - stock Köln
  • 8468 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 1066 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 1051 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Hersteller: Supertex
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Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vcc, V: 8...470 V
Ausgangsstrom Iausg., mA: 165 mA
Oszillatorfrequenz Fosc, kHz: 120 kHz
Kanalzahl: 1
Bemerkung: P = 830 mW
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°С
verfügbar: 261 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 256 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.21 EUR
10+1.19 EUR
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