IRFR220NPBF
Produktcode: 113425
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 600 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/15
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR220NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Cont Current Id:5A
- On State Resistance:0.6ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.5`C/W
- Max Voltage Vds:200V
- Power Dissipation:43W
- Power Dissipation Pd:43W
- Pulse Current Idm:20A
- SMD Marking:IRFR220N
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRFR220NPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR220NPBF | International Rectifier |
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
IRFR220NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
IRFR220NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR220NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR220NPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR220NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR220NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR220NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mit diesem Produkt kaufen
| Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V) Produktcode: 22143
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 1A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 1 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 1A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 1 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 240 St.
- 240 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
- 10000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 8605 St.
- 8605 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.063 EUR |
| 100+ | 0.046 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |
| HV9910BLG-G Produktcode: 23959
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Supertex
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vcc, V: 8...470 V
Ausgangsstrom Iausg., mA: 165 mA
Oszillatorfrequenz Fosc, kHz: 120 kHz
Kanalzahl: 1
Bemerkung: P = 830 mW
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°С
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vcc, V: 8...470 V
Ausgangsstrom Iausg., mA: 165 mA
Oszillatorfrequenz Fosc, kHz: 120 kHz
Kanalzahl: 1
Bemerkung: P = 830 mW
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°С
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
- 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 239 St.
- 239 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.76 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| 1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung) Produktcode: 60674
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung: 2265 St.
- 2265 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.071 EUR |
| 100+ | 0.051 EUR |
| 1000+ | 0.039 EUR |
| 10000+ | 0.021 EUR |
| Mikroschalter MSW-12 Produktcode: 103147
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Zhongxun Electronics
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Mikroschalter
Montage: Klemmen mit Bohrung
Abmessungen: 19,8x10,2x6,4 мм
Beschreibung: SPDT. Hebel 17mm
Anzahl Stellungen: 2
Belastbarkeit: 5 А / 250 VAC
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Mikroschalter
Montage: Klemmen mit Bohrung
Abmessungen: 19,8x10,2x6,4 мм
Beschreibung: SPDT. Hebel 17mm
Anzahl Stellungen: 2
Belastbarkeit: 5 А / 250 VAC
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 1N4148W Produktcode: 176823
5
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JINGDAO
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev., V: 75 В
Iausr., A: 0,15 А
Beschreibung: Impuls
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev., V: 75 В
Iausr., A: 0,15 А
Beschreibung: Impuls
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1 В
auf Bestellung: 20 St.
- 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.027 EUR |










