IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
103+ | 0.69 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
154+ | 0.47 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Möglichen Substitutionen IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
IRFR220NPBF Produktcode: 113425 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 600 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 300/15 JHGF: SMD |
auf Bestellung 402 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFR220NTRPBF nach Preis ab 0.34 EUR bis 2.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR220NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
auf Bestellung 8914 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15912 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF Produktcode: 104027 |
Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |