IRFR220NTRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.44 EUR |
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 6000+ | 0.39 EUR |
| 10000+ | 0.35 EUR |
| 14000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details IRFR220NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Möglichen Substitutionen IRFR220NTRPBF Infineon Technologies
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IRFR220NPBF Produktcode: 113425
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-252/D-Pak Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 600 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 300/15 JHGF: SMD |
auf Bestellung 21 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFR220NTRPBF nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 43W Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 3607 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
auf Bestellung 18376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR220NTRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 85 Stücke: |
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IRFR220NTRPBF Produktcode: 104027
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR220NTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |