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IRFR220NTRPBF

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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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170+0.98 EUR
221+0.73 EUR
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
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115+1.5 EUR
168+1.01 EUR
217+0.76 EUR
242+0.67 EUR
500+0.5 EUR
2000+0.43 EUR
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 13497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
50+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
auf Bestellung 37758 Stücke:
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2+1.86 EUR
10+0.86 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
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2000+0.46 EUR
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
204+1.14 EUR
231+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
204+1.14 EUR
231+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR220NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr220npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.45 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.45 EUR
6000+0.38 EUR
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IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.45 EUR
6000+0.38 EUR
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IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.46 EUR
6000+0.39 EUR
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IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.48 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.48 EUR
170+0.98 EUR
221+0.73 EUR
246+0.62 EUR
500+0.45 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IRFR220NTRPBF infineonirfr220ndatasheetv0101en.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+1.5 EUR
168+1.01 EUR
217+0.76 EUR
242+0.67 EUR
500+0.5 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 13497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
50+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRFR220NTRPBF Infineon-IRFR220N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
auf Bestellung 37758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.86 EUR
10+0.86 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+2.68 EUR
204+1.14 EUR
231+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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IRFR220NTRPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
204+1.14 EUR
231+0.93 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
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IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 85 Stücke:
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