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IRFR224PBF

IRFR224PBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details IRFR224PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube, Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR224PBF IRFR224PBF Vishay sihfr224.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY VISH-S-A0013857016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 42
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
auf Bestellung 1987 Stücke:
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163+1.54 EUR
186+1.25 EUR
234+0.92 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.57 EUR
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IRFR224PBF IRFR224PBF Vishay Semiconductors sihfr224.pdf MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
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2+2.89 EUR
10+2.37 EUR
100+1.83 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR224PBF IRFR224PBF Vishay Siliconix sihfr224.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 2141 Stücke:
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5+4.55 EUR
75+2.07 EUR
150+1.87 EUR
525+1.57 EUR
1050+1.45 EUR
2025+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Description: VISHAY - IRFR224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 42
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
Qualifikation: -
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Betriebstemperatur, max.: 150
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Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
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