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IRFR2307Z


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Technische Details IRFR2307Z IR

Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR2307Z Infineon Technologies IRFR2307Z%2C%20IRFU2307Z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
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