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IRFR2405PBF

IRFR2405PBF

irfr2405-datasheet.pdf
Produktcode: 39791
Hersteller: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 0,016 A
Ciss, pF/Qg, nC: 2430/70
JHGF: SMD
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Technische Details IRFR2405PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 56A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:56A
  • On State Resistance:0.016ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Power Dissipation:110W
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:220A
  • SMD Marking:IRFR2405
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR2405PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 56 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25; Qg, нКл = 110 @ 10 В; Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
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IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
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IRFR2405PBF IRFR2405PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-1732690.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
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Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1306 Stück
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Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 672 Stück
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Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 mA
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 160/150 ns
Роб.темп.,°С: -55…+150°C
auf Bestellung 328 Stück:
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TMB12A05
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Beschreibung: Buzzer elektromagnetisch, eingebauter Generator
Abmessungen: Ø12mm
Функціональна особливість: З генератором
Робоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
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