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IRFR3410TRPBF транзистор

Produktcode: 201152
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2000+0.47 EUR
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
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193+0.76 EUR
198+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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702+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 702 Stücke
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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702+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 702 Stücke
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
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162+0.9 EUR
193+0.73 EUR
198+0.69 EUR
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5315 Stücke:
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86+1.71 EUR
130+1.11 EUR
178+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.47 EUR
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 description Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 946 Stücke:
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8+2.39 EUR
12+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
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2+2.66 EUR
10+1.53 EUR
100+1.03 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2129 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR3410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPreis
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
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AnzahlPreis
193+0.76 EUR
198+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
702+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
10000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 702 Stücke
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IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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702+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
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IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
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162+0.9 EUR
193+0.73 EUR
198+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPreis
86+1.71 EUR
130+1.11 EUR
178+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IRFR3410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
8+2.39 EUR
12+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR3410TRPBF description Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
auf Bestellung 2338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.66 EUR
10+1.53 EUR
100+1.03 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 31A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2129 Stücke:
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