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IRFR3607TRPBF

IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.93 EUR
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6000+0.86 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+1.15 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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2000+1.21 EUR
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.37 EUR
129+1.33 EUR
151+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3521 Stücke:
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110+1.58 EUR
128+1.32 EUR
129+1.25 EUR
151+1.02 EUR
250+0.96 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.7 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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389+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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70+2.5 EUR
94+1.84 EUR
125+1.34 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.87 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 10156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
250+1.75 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 10156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
90+2.59 EUR
250+1.75 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 5482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.36 EUR
4000+1.29 EUR
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.93 EUR
4000+0.89 EUR
6000+0.86 EUR
10000+0.83 EUR
14000+0.81 EUR
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3607TRPBF infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf
IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.21 EUR
4000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.37 EUR
129+1.33 EUR
151+1.11 EUR
250+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+1.58 EUR
128+1.32 EUR
129+1.25 EUR
151+1.02 EUR
250+0.96 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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IRFR3607TRPBF infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
389+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
10000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.5 EUR
94+1.84 EUR
125+1.34 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.87 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 10156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
250+1.75 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3607TRPBF INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3607TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 10156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
90+2.59 EUR
250+1.75 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3607TRPBF infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf
IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 5482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
auf Bestellung 763 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.38 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.36 EUR
4000+1.29 EUR
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