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IRFR3607TRPBF

IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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250+1.01 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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378+1.76 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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58+4.34 EUR
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250+1.82 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 9094 Stücke:
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100+4.34 EUR
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1000+1.36 EUR
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IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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1000+1.36 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
145+1.23 EUR
147+1.2 EUR
149+1.15 EUR
250+1.12 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.05 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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IRFR3607TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3571 Stücke:
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143+1.25 EUR
145+1.19 EUR
147+1.13 EUR
149+1.07 EUR
250+1.01 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.89 EUR
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 698 Stücke:
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
378+1.76 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
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IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
378+1.76 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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57+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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auf Bestellung 7000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 10235 Stücke:
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5+4.25 EUR
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100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 9094 Stücke:
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58+4.34 EUR
105+2.21 EUR
250+1.82 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFR3607TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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AnzahlPrivatkunde
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105+2.21 EUR
250+1.82 EUR
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MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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500+1.51 EUR
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