IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFR3607TRPBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
auf Bestellung 5640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR3607TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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