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IRFR3707ZTRPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3707zdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF INFINEON IRSDS09603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF INFINEON IRSDS09603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3707Z_DS_v01_02_EN-1732001.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC
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IRFR3707ZTRPBF UMW irfr3707zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563183ac20bb MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Транзистори
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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